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烤箱系統
IGZO高溫燒成裝置
概述
-液晶（LCD）工藝中的IR型高溫加熱爐（450℃）。
・ 氧化物 TFT 比非晶矽 (a-si) TFT 多
具有高電子遷移率的多晶矽（Poly-si）
比TFT更高的均勻性，
它作為下一代顯示器備受關注。
・ 通過熱處理時氧化薄膜的化學反應
產生自由電子並改善電性能
適用於氧化物TFT的生產。
特徵
・ 使用蒸汽可以提高退火效率。
結構體。
- 原始噴嘴設計，均勻蒸汽噴射。
-O₂：精確控制 H₂O 混合物。
・ 可進行大面積基板加工。 （2-8代）
規格
·設備配置
輸入方式：立式安裝
加熱方式：遠紅外線電阻加熱
· 申請流程：
IGZO（In（銦）、Ga（鎵）、
Zn（鋅），O（氧）），
TFT有源層熱處理、ESL熱處理、BCE熱處理
* 詳細結構和規格請聯繫我們。
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